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    得益于伊利諾伊大學(xué)開創(chuàng)的新型半導(dǎo)體制造方法，太陽能開發(fā)的前景變得更加光明了。
　　在將陽光轉(zhuǎn)化為電能的光電池等各種電子裝置中，硅都是最常用半導(dǎo)體材料。雖然砷化鎵及相關(guān)化合物半導(dǎo)體在太陽能裝置中的效率比硅半導(dǎo)體高一倍，但高昂的制造成本妨礙了它們的普及應(yīng)用。
　　伊利諾伊大學(xué)教授約翰·羅杰斯和李秀玲（音）探究了以較低成本制造砷化鎵薄膜的方法，這也使得采用這些砷化鎵薄膜的各類裝置具有更為廣泛的用途。羅杰斯說：“如果你能夠可持續(xù)地降低砷化鎵及其相關(guān)化合物半導(dǎo)體的成本，那么你就可以擴大它們的應(yīng)用范圍�！�
　　在5月20日發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊《自然》網(wǎng)站上的論文中，這個研究小組描述了他們使用的方法，并演示了采用以多層堆棧技術(shù)制造的砷化鎵芯片的3類裝置：光傳感器、高速晶體管和太陽能電池。
　　相對于制造砷化鎵芯片的傳統(tǒng)單層堆棧技術(shù)，多層堆伐技術(shù)的一大優(yōu)點是節(jié)約了成木，另一個優(yōu)點是消除了面積上的制約，這對于太陽能電池尤其重要。隨著多層半導(dǎo)體被從堆棧中取出，它們可以并排擺放在另一個襯底上，從而得到大很多的表面積，而由典型的單層制造工藝制造的晶片則可能因面積因素受限。
　　羅杰斯說：“從光電學(xué)的角度，你希望有龐大的表面區(qū)域來捕捉盡可能多的陽光。一個極端的情形是我們可以增加足夠多的層，從而使表面積達到傳統(tǒng)方法的10倍�！�
　　把硅晶片改成效能較高的砷化鎵片可以使太陽能成為一種成本效益更高的替代能源。